金属学报  2002, Vol. 38 Issue (6): 589-592

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GaN场发射高分辨电子显微像的图像处理-显示GaN中原子分辨率晶体缺陷的可能性

王怀斌　 李方华

中国科学院物理研究所和中国科学院凝聚态物理中心;北京100080

王怀斌; 李方华 . GaN场发射高分辨电子显微像的图像处理-显示GaN中原子分辨率晶体缺陷的可能性[J]. 金属学报, 2002, 38(6): 589-592 .

摘要 参考文献 相关文章 Metrics 全文: PDF(155 KB)   摘要: 本文介绍了场发射高分辨电子显微像的图像处理原理,用300 kV场发射电子显微镜的参数模拟了GaN完整晶体和缺陷晶体结构模型的显微像.经过处理的显微像上能够分辨间距为0.112nm的Ga和N原子,并能显示N原子空位. 关键词 ： GaN,  晶体缺陷,  高分辨电子显微学     Key words： 收稿日期: 2002-04-08      ZTFLH:  O766   服务 把本文推荐给朋友 加入引用管理器 E-mail Alert RSS 作者相关文章 王怀斌 李方华 44.8K 链接本文: https://www.ams.org.cn/CN/Y2002/V38/I6/589 [1]Nakamura S, Mukai T. Senoh M. Appl Phys Lett, 1994; 64: 1687 [2] Lester S D, Ponce F A, Craford M G, Steigerwald D A. Appl Phys Lett, 1995; 66:1249 [3] Ichinose H. International Kunming Symposium on Microscopy, 2000:11 [4] Scherzer O. J Appl Phys, 1949; 20: 20 [5]He W Z, Li F H, Chen H, Kawasaki K. Oikawa T. Ultra-microscopy, 1997; 70: 1 [6] Li F H, Wang D, He W Z. Jiang H. J Electron Microsc, 2000; 49: 17 [7] Wang D, Li F H, Zou J. Ultramicroscopy, 2000; 85:131 [8] Wang D, Chen H, Li F H, Kawasaki K, Oikawa T. Ultra-microscopy. 2002; in press [9] Li F H, Tang D. Acta Cryst. 1985; A41: 376 [10] Thon F. Electron Microscopy in Materials Science. New York: Academic Press, 1971:570e [1] 马德新,王富,徐维台,徐文梁,赵运兴. 高温合金单晶铸件中条纹晶的形成机制[J]. 金属学报, 2020, 56(3): 301-310. [2] 陈厚文; 王蓉 . 离子减薄后NiAl3合金相中调制结构的高分辨电子显微学研究[J]. 金属学报, 2008, 44(10): 1153-1156 . [3] 崔怀洋; 贺信莱 . 晶界非平衡偏聚与晶体缺陷构型的关系[J]. 金属学报, 1999, 35(3): 239-244 . [4] 孙东升;李凤照;戴吉岩;李斗星. 离子渗氮层的晶体缺陷和界面结构[J]. 金属学报, 1993, 29(5): 11-15. [5] 王勃生;孙福玉;孟庆恩;徐温崇. 晶体位错链长统计分布理论公式初探[J]. 金属学报, 1992, 28(3): 6-9. [6] 朱敏;杨大智. 淬火在Cu-Zn-Al合金马氏体中引入的一种新缺陷[J]. 金属学报, 1989, 25(2): 74-76. [7] 高巧君;郑天佐. 金属外延生长的原子级观察[J]. 金属学报, 1989, 25(1): 1-6. Viewed Full text Abstract Cited   Shared      Discussed