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金属学报  2000, Vol. 36 Issue (7): 775-779     
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原位自反应合成A1N粉体
金海波 邹宗树
清华大学新型陶资与精细工艺国家重点实验室; 北京 100084
引用本文:

金海波; 邹宗树 . 原位自反应合成A1N粉体[J]. 金属学报, 2000, 36(7): 775-779 .

全文: PDF(181 KB)  
摘要: 探讨了利用原位自反应技术合成AIN粉体的可行性, 通过化学成分分析、X射线衍射及扫描电镜等检测手段对氮化产物进行表征, 并对氮化反应热力学及合成条件对氮化反应的影响进行了分析, 实验结果表明, AIN粉体原位自生法可降低合成温度, 简化合成工艺, 所合成的AIN粉体具有纯度高、氧含量低, 以及经粉化处理后粒度较均匀、细小等特点.
关键词 铅合金原位自反应氮化    
Key words
收稿日期: 1999-11-19     
ZTFLH:  TF123.34 TQ133.1  
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