反应磁控溅射法制备nc－TiN／a－Si3N4薄膜的Young’s模量和内耗

金属学报

2003, Vol. 39

Issue (11): 1193-1196

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反应磁控溅射法制备nc－TiN／a－Si3N4薄膜的Young’s模量和内耗

李朝升王先平方前锋

中国科学院固体物理研究所材料物理重点实验室;合肥230031

引用本文:

李朝升; 王先平; 方前锋 . 反应磁控溅射法制备nc－TiN／a－Si3N4薄膜的Young’s模量和内耗[J]. 金属学报, 2003, 39(11): 1193-1196 .

全文: PDF(168 KB)

摘要: 利用振簧技术测量了不同退火状态下的nc-TiN／a-Si3N4超硬薄膜的Young's模量和内耗随温度的变化关系．在280--300℃附近观察到一个弛豫内耗峰．随着退火温度的升高，该内耗峰逐渐减弱，而Young's模量变化不大，750℃退火后，该内耗峰消失，而模量却从未退火时的430GPa激增至530GPa，初步认为该内耗峰来源于非稳定界面的弛豫过程.

关键词 ：纳米TiN／非晶Si3N4薄膜

Key words：

收稿日期: 2003-07-09

ZTFLH:

TG113.22

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