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金属学报  2003, Vol. 39 Issue (10): 1047-1050     
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Ti-Si-N纳米复相薄膜及Si含量对脉冲直流PCVD镀膜质量的影响
马大衍; 王昕; 马胜利; 徐可为
西安交通大学金属材料强度国家重点实验室; 西安 710049
引用本文:

马大衍; 王昕; 马胜利; 徐可为 . Ti-Si-N纳米复相薄膜及Si含量对脉冲直流PCVD镀膜质量的影响[J]. 金属学报, 2003, 39(10): 1047-1050 .

全文: PDF(179 KB)  
摘要: 用工业型脉冲直流等离子体增强化池气相沉积(PCVD)设备, 在高速钢(W18Cr4V)表面沉积Ti-Si-N三元薄膜, 研究了不同N2流量对薄膜组织及性能的影响. 结果表明: 随N2流量增大, 膜层沉积速率及膜层中Si含量减少, 薄膜组织趋于致密, 膜层颗粒尺寸明显减小, 划痕法临界载荷和显微硬度显著增加, 硬度最高可达50 GPa以上. 研究发现, 对应N2流量, 薄膜相组成发生变化, 依次存在有TiN/a-Si3N4/Si, TiN/a-Si3N4/TiSi2/Si, TiN/a-Si3N4/TiSi2三种相组成形式. 分析认为, 低N2或高Si效果不佳的原因在于直流PCVD 是以工件为阴极, 膜层中过多的Si3N4和Si将严重劣化阴极的电导性, 致使膜层疏松, 说明脉冲直流PCVD与射频PCVD存在很大的区别.
关键词 PCVDTi-Si-N相组成临界载荷    
Key words
收稿日期: 2002-11-20     
ZTFLH:  O484  
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