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金属学报  2005, Vol. 41 Issue (8): 809-813     
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等轴应变作用下Cu, Al薄膜的取向择优生长
周耐根 周 浪 宋固全 宋照东
(南昌大学材料科学与工程学院; 南昌 330047)
引用本文:

周耐根; 周浪; 宋固全; 宋照东 . 等轴应变作用下Cu, Al薄膜的取向择优生长[J]. 金属学报, 2005, 41(8): 809-813 .

全文: PDF(705 KB)  
摘要: 用分子动力学方法模拟了Cu双晶和Al双晶薄膜的111生长, 模拟时假定在薄膜平面内保持恒定的等轴双向应变, 薄膜中两晶粒的能量计算表明: 不同晶粒的能量存在差异, 能量较低的晶粒在沉积中择优生长, 逐渐取代能量较高的晶粒, Cu膜择优生长速率显著高于Al膜; 两种薄膜择优生长的机制完全不同, Cu膜中处于不利位向的晶粒通过孪晶过渡转变为择优取向, 转变完成、晶界湮灭后薄膜中残留的缺陷为位错; 而Al膜则是通过无序结构重结晶实现上述转变, 转变完成、晶界湮灭后薄膜中残留的缺陷为间隙原子. 文中对上述择优生长驱动力的来源、以及在纳米多晶中的重要性进行了讨论.
关键词 Cu膜Al膜择优生长    
Key words
收稿日期: 1900-01-01     
ZTFLH:  O484.1  
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