金属学报  2003, Vol. 39 Issue (3): 234-236

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Cu/MgO界面位错的高分辩率电子显微镜研究

刘红荣 蔡灿英 杨奇斌

湘潭大学现代物理研究所 411105

刘红荣; 蔡灿英; 杨奇斌 . Cu/MgO界面位错的高分辩率电子显微镜研究[J]. 金属学报, 2003, 39(3): 234-236 .

摘要 参考文献 相关文章 Metrics 全文: PDF(108 KB)   摘要: 用高分辩透射电子显微镜对内氧化产生的Cu/MgO界面进行了研究，观察到了取向关系相同的两种不同界面。并运用近重点陈模型对其界面结构进行了研究，求出了失配位错了3个Burgers矢量和次级位错的3个Burgers矢量，它们分别为：失配位错之间的距离与实验测量结果符合得很好。 关键词 ： Cu/MgO界面,  近重位点陈,  失配位错     Key words： 收稿日期: 2002-06-10      ZTFLH:  TG113.12   服务 把本文推荐给朋友 加入引用管理器 E-mail Alert RSS 作者相关文章 刘红荣 蔡灿英 杨奇斌 44.8K 链接本文: https://www.ams.org.cn/CN/Y2003/V39/I3/234 [1] Ernst F. Mater Sci Eng, 1995; 14R: 97 [2] Bollman W. Crystal Defect and Crystalline Interface.Berlin: Spring, 1970 [3] Grimmer H, Bollmann W, Warringtion D H. Acta Crys-tallogr, 1974; 30A: 197 [4] Bonnet R, Durand F. Phils Mag, 1975; 32: 997 [5] Yang S H, Ding D H. Dislocation Theory of Crystal. Vol.2,Beijing: Science Press, 1998: 176(杨顺华,丁棣华.晶体位错理论基础.第2卷,北京:科学出版社, 1998:176) [6] Lu P, Cosandey F. Acta Metall Mater, 1992; 40: 259 [7] Chen F R, Chiou S K, Chang L, Hong C S. Ultrami-croscopy, 1994; 54: 179 [8] Wang Y G, de Hosson J Th M. J Mater Sci Lett, 2001;20: 389 [9] Wang Y G, Zhang Z, Yan G H, de Hosson J Th M. JMater Sci, 2002; 37: 2511 [10] Yang S H, Ding D H. Dislocation Theory of Crystal. Vol.2,Beijing: Science Press, 1998: 192(杨顺华,丁棣华.晶体位错理论基础.第2卷,北京:科学出版社, 1998:192) [11] Balluffi R W, Brokman A, King A H. Acta Metall, 1982; 30: 1453 [1] 程东 严志军 严立. Cu/Ni多层膜强化机理的分子动力学模拟[J]. 金属学报, 2008, 44(12): 1461-1464. [2] 程东; 严志军; 严立 . Cu/Ni多层膜中交变应力场对可动位错的制约[J]. 金属学报, 2006, 42(2): 118-122 . Viewed Full text Abstract Cited   Shared      Discussed