金属学报  2006, Vol. 42 Issue (9): 979-982

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Ta种子层对Ni65Co35薄膜微结构和磁性的影响

王立锦; 张辉; 滕蛟; 朱逢吾

北京科技大学材料科学与工程学院材料物理与化学系; 北京 100083

EFFECTS OF Ta SEED LAYER ON THE MICROSTRUCTURE AND MAGNETIC PROPERTY OF Ni65Co35 FILMS

WANG Lijin; ZHANG Hui; TENG Jiao; ZHU Fengwu

北京科技大学材料科学与工程学院材料物理与化学系; 北京 100083

王立锦; 张辉; 滕蛟; 朱逢吾 . Ta种子层对Ni65Co35薄膜微结构和磁性的影响[J]. 金属学报, 2006, 42(9): 979-982 .
, , , . EFFECTS OF Ta SEED LAYER ON THE MICROSTRUCTURE AND MAGNETIC PROPERTY OF Ni65Co35 FILMS[J]. Acta Metall Sin, 2006, 42(9): 979-982 .

摘要 参考文献 相关文章 Metrics 全文: PDF(170 KB)   摘要: 用直流磁控溅射方法制备了Ta(x nm)/Ni65Co35(40 nm)双层薄膜(x = 0, 1, 2, 3, 4, 5 nm)，研究了Ta种子层不同制备工艺条件对Ni65Co35 (40 nm)薄膜的各向异性磁电阻(AMR)和矫顽力的影响; 通过X射线衍射(XRD)对Ni65Co35薄膜的微结构进行了分析.结果表明，适当的Ta种子层的厚度和较高的溅射速率有利于Ni65Co35薄膜(111)织构形成，并能显著提高Ni65Co35膜薄的AMR值和磁传感元件的灵敏度. 关键词 ： Ni65Co35薄膜,  Ta种子层,  各向异性磁电阻     Abstract：Ta(x nm)/Ni65Co35 (40 nm) bilayers films (x = 0, 1, 2, 3, 4, 5 nm) have been prepared by DC magnetron sputtering. The effects of the thickness and deposition rate of Ta seed layer on anisotropic magnetoresistance(AMR) and coercivity of Ni65Co35 (40 nm) layer were investigated.XRD and magneto-test showed that a suitable thickness and higher deposition rate of Ta layer could promote the formation of Ni65Co35 layer with (111) texture, and remarkably increase the AMR value of Ni65Co35 layer and the sensitivity of magnetic sensor element. Key words： Ni65Co35 film    Ta seed layer    anisotropic magnetoresistance (AMR) 收稿日期: 2005-12-15      ZTFLH:  O484.43   服务 把本文推荐给朋友 加入引用管理器 E-mail Alert RSS 作者相关文章 王立锦 张辉 滕蛟 朱逢吾 44.8K 链接本文: https://www.ams.org.cn/CN/      或      https://www.ams.org.cn/CN/Y2006/V42/I9/979 [1]McGuire T R,Potter R I.IEEE Trans Magn,1975;MAG11:1018 [2]Kitada M.Thin Solid Films,1985;131:21 [3]Chow L,Decker S,Pocket D.IEEE Trans Magn,1979;15:1833 [4]Kitada M,Shimizu N,Tanabe H.J Mater Sci,1990;26:835 [5]Kitada M,Shimizu N.J Magn Magn Mater,1991;98:215 [6]Kitada M.J Magn Magn Mater,1993;123:18 [7]Lee W Y,Toney M F,Mauri D.IEEE Trans Magn,2000;36:381 [8]Kitada M,Yamamoto K.J Magn Magn Mater,1995;147:213 [9]Gong H,Litvinov D,Klemmer T J.IEEE Trans Magn,2000;36:2963 [10]Jung H S,Doyle W D,Wittig J E.Appl Phys Lett,2002;81:2415 [11]Hyung J L.J Appl Phys,1985;57:4037 [12]Li T,Gareth T.J Appl Phys,1993;74:5025 [13]Li T,Dong L,Gareth T.J Appl Phys,1995;77:47 [14]Kitada M,Yamamoto K.J Magn Magn Mater,1995;147:213 [15]Lee L L,David E L,David N L.J Appl Phys,1996;79:4902 [16]Feng J,Romankiw L,Thompson D.IEEE Trans Magn,1977;13:1466 [1] 张辉; 滕蛟; 于广华; 吴杏芳; 朱逢吾 . NiFe薄膜AMR元件中非均匀退磁场和宽度的相关性[J]. 金属学报, 2007, 43(6): 599-602 . [2] 何贤美; 童六牛 . 界面散射对Ni80Co20/M(M-Co,Cr,Ag)多层膜各向异性磁电阻的影响[J]. 金属学报, 2001, 37(5): 477-482 . Viewed Full text Abstract Cited   Shared      Discussed