金属学报  2002, Vol. 38 Issue (6): 617-620

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插入Bi层对NiFe/Cu/NiFe/FeMn自旋阀多层膜交换耦合的影响

朱逢吾　 于广华　 李明华　 姜宏伟　 赖武彦

北京科技大学材料物理系;北京100083

朱逢吾; 于广华; 李明华; 姜宏伟; 赖武彦 . 插入Bi层对NiFe/Cu/NiFe/FeMn自旋阀多层膜交换耦合的影响[J]. 金属学报, 2002, 38(6): 617-620 .

摘要 参考文献 相关文章 Metrics 全文: PDF(156 KB)   摘要: 对于Ta/NiFe/Cu/NiFe/FeMn/Ta自旋阀多层膜,Cu原子偏聚到NiFe/FeMn界面将导致自旋阀多层膜中NiFe/FeMn的交换耦合场Hex下降.然而,少量的表面活化原子Bi被沉积到Cu层和被钉扎NiFe层之间,Cu原子在NiFe/FeMn界面的偏聚可以被抑制;而且,更重要的是Ta/NiFe/Cu/NiFe/FeMn/Ta自旋阀多层膜中的交换耦合场Hex可以被有效地提高. 关键词 ： 层间偏聚,  交换耦合场,  表面活化原子Bi,  XPS     Key words： 收稿日期: 2002-03-27      ZTFLH:  TG146.1   服务 把本文推荐给朋友 加入引用管理器 E-mail Alert RSS 作者相关文章 朱逢吾 于广华 李明华 姜宏伟 赖武彦 44.8K 链接本文: https://www.ams.org.cn/CN/Y2002/V38/I6/617 [1]Meiklejohn W H, Bean C P. Phys Rev, 1956; 102B: 1423 [2]Dieny B, Speriosu V S, Parkin S S P, Gurney B A, WilhojtD R, Mauri D. Phys Rev, 1991; 43B: 129 [3] Jungblut R, Coehoorn R, Johnson M T, Stegge J A D,Reinders A. J Appl Phys, 1994; 75: 6659 [4]Nogues J, Ledermn D, Moran T J, Schuller I. Phys RevLett, 1997; 76: 4624 [5]Koon N C. Phys Rev Lett, 1997; 78 : 4865 [6]Schulthess T C, Butler W H.Phys Rev Lett,1998;81:4516 [7]Nogues J, Ledermn D, Moran T J, Schuller I K, Rao K V.Appl Phys Lett, 1996; 68: 3186 [8] Hwang D G, Lee S S, Park C M. Appl Phys Lett, 1998;72: 2162 [9]Qian Z H, Sivertsen J M, Judy J H. J Appl Phys, 1998;83: 6825 [10]Choe G, Gupta S. Appl Phys Lett, 1997; 70: 1764 [11]Takano K, Kodama R H, Berkowitz A E, Cao W, ThomasG. Phys Rev Lett, 1997; 79: 1130 [12] Yu G H, Chai C L, Zhu F W, Xiao J M, Lai W Y. ApplPhys Lett, 2001; 78: 1706 [13]Malozemoff A P. Phys Rev, 1987; 35B: 3679 [14]Mauri D, Kay E, Scholl D, Kay E. J Appl Phys, 1987; 62:3047 [15]Fujikata J, Hayashi K, Yamamoto H, Nakada M. J ApplPhys, 1998; 83:7210 [16]Kim Y K, Ha K, Rea L L. IEEE Trans Magn, 1995; 31:3823 [17]Nishioka K, Gangopadhyay S, Fujiwara H. IEEE TransMagn, 1995; 31: 3949 [18]Dieny B, Speriosu V S, Metin S. J Appl Phys, 1991; 69:4774 [19]Kanai H, Kane J, Aoshima Kanamine M, Uehara Y. IEEETrans Magn, 1995; 31: 2612 [20] Yu G H, Li M H, Zhu F W, Li Q K, Zhang Y, Cai C L,Jiang H W, Lai W Y. J Appl Phys, 2002; 91: 3759 [21]Mezey, L Z, Giber J. Jap J Appl Phys, 1982; 21:1569 [22]Chopra H D, Repetski E J, Brown H J, Chen P J, Swartzendruber L J, Egelhoff JR W F. Ada mater, 2000; 48: 3501 [23]Egelhoff Jr W F,Chen P J,Powell C J,Stiles M D, McMichael R D. J Appl Phys, 1996; 79: 2491 [1] 宋贵宏,李贵鹏,刘倩男,杜昊,胡方. 溅射沉积Mg2(Sn, Si)薄膜组织结构与导电性能[J]. 金属学报, 2019, 55(11): 1469-1476. [2] 李付绍 安茂忠 刘光洲 段东霞. 硫酸盐还原菌对18--8不锈钢点蚀行为的影响[J]. 金属学报, 2009, 45(5): 536-540. [3] 关山; 张琦 . 利用XPS及电化学方法研究电镀Cr添加剂的作用机理[J]. 金属学报, 2000, 36(11): 1179-1182 . [4] 谢天生; 戴贵平; 成会明; 范兆忠; 叶恒强 . 高定向石墨表面激光溅射硼及超结构的扫描隧道显微镜观察[J]. 金属学报, 1999, 35(7): 685-688 . [5] 龚沿东. XPS数据处理的曲线拟合组合算法及检验[J]. 金属学报, 1996, 32(2): 219-224. [6] 安础;黑祖昆;岡部芳雄;岩木正哉. 纯铁表面Ti~+-O~+二重离子注入后着色的研究[J]. 金属学报, 1995, 31(15): 116-122. Viewed Full text Abstract Cited   Shared      Discussed