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金属学报  2001, Vol. 37 Issue (3): 277-280     
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Fe-Cu-Cr-V-Si-B三明治膜的巨磁阻抗效应
代由勇  刘宜华  萧淑琴  张林  吴厚政  张延忠
山东大学物理系;济南250100
引用本文:

代由勇; 刘宜华; 萧淑琴; 张林; 吴厚政; 张延忠 . Fe-Cu-Cr-V-Si-B三明治膜的巨磁阻抗效应[J]. 金属学报, 2001, 37(3): 277-280 .

全文: PDF(138 KB)  
摘要: 用射频溅射法制备了Cu夹层的Fe-Cu-Cr-V Si-B三明治膜,在不同条件下对样品进行了退火处理,在最佳退火条件下,样品的软磁特性得到明显改善,从而获得了优良的巨磁阻抗(GMI)效应.研究了GMI效应与交变电流频率f和外加直流磁场H关系在5 MHz的特征频率下,最大的横向阻抗比△ZH/Zm达91%.由于样品的三明治结构,横向磁阻抗比明显优于纵向.
关键词 磁性薄膜巨磁阻抗趋肤效应    
Key words
收稿日期: 2000-09-22     
ZTFLH:  O484.43  
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