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金属学报  2000, Vol. 36 Issue (4): 359-363     
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微型NiFe磁性薄膜元件中Neel畴壁极性的转变过程
余晋岳 魏福林
上海交通大学信息存储研究中心国家教育部薄膜与微细技术重点实验室;上海 200030
引用本文:

余晋岳; 魏福林 . 微型NiFe磁性薄膜元件中Neel畴壁极性的转变过程[J]. 金属学报, 2000, 36(4): 359-363 .

全文: PDF(164 KB)  
摘要: 观察和分析了300μm×40μm×40nm的NiFe磁性薄膜元件在难轴方向反磁化时磁畴结构转变特别是Neel畴壁从正极性壁(N+)转变为负极性壁(N-)的全过程. 磁畴结构的转变包含畴壁合并,封闭畴转变,钩形畴转变及Neel畴壁极性转变等变的可逆因素,对畴壁极性转变的身份种方式(即N+→N-直接转变及经由十字壁(Net)r N+-→N-间接转变)进行了分析讨论.
关键词 磁性薄膜元件反磁化    
Key words
收稿日期: 1999-07-21     
ZTFLH:  O484 TM27  
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