金属学报  2000, Vol. 36 Issue (1): 77-80

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脉冲电压幅值对等离子体化学气相沉积TiN薄膜膜基结合行为的影响

马胜利 李雁淮　徐可为

西安交通大学金属材料强度国家重点实验室; 西安 710049

马胜利; 李雁淮; 徐可为 . 脉冲电压幅值对等离子体化学气相沉积TiN薄膜膜基结合行为的影响[J]. 金属学报, 2000, 36(1): 77-80 .

摘要 参考文献 相关文章 Metrics 全文: PDF(155 KB)   摘要: 用工业型脉冲等离子体化学（ＰＣＶＤ）设备. 在高速钢（Ｗ１８Ｃｒ４Ｖ）和钴基硬质合金ＳＣ３０基材表面沉积了ＴｉＮ薄膜, 用扫描电镜（ＳＥＭ）和连续加载压入仪研究了脉冲电压幅值对膜基结合行为的影响, 结果表明：随脉冲电压在５５０－７５０Ｖ之间逐渐增大, ＴｉＮ晶粒增大, 膜层脆性增加, 沉积速率提高. 但膜层结合力下降：在６５０Ｖ以下膜基界面有一伪扩散层出现, 通过６５０Ｖ后伪散层消失, 这是改善膜基结合行为的关键因素. 关键词 ： PCVD,  膜基结合力,  压入法,  氮化钛     Key words： 收稿日期: 1999-06-07      ZTFLH:  O484.1 TG174.44   服务 把本文推荐给朋友 加入引用管理器 E-mail Alert RSS 作者相关文章 马胜利 李雁淮 徐可为 44.8K 链接本文: https://www.ams.org.cn/CN/Y2000/V36/I1/77 [1] Leonhardt A L, Bartsch K, Endler I. Surf Coat Technol,1995; 76--77: 225 [2] Yan P X, Hut P, Zhun W G, Tan H S. Surf Coat Technol,1998; 102: 175 [3] Park J--R, Song Y K, Rie K T, Gebauer A. Surf Coat Technol, 1998; 98: 1329 [4] Rie K T, Gebauer A, Woehle J. Surf Coat Technol, 1993; 60:385 [5] Mogensen K S, Mathiasen C, Eskildsen S S, Stori H, BottigerJ. Surf Coat Technol, 1998; 102: 35 [6] Hiramatsu K, Ohnishi H, Takahama T, Yamanishi K. J VacSci Technol, 1996; A14: 1037 [7] Mogensen K S, Thomsen N B, Eskildsen S S, Mathiasen C,Bottiger J. Surf Coat Technol, 1998; 99: 140 [8] Xie F, Ma B T, He J W. Chin J Heat Treat Met, 1997; (1):20(谢飞,马列宝钿,何家文.金属热处理学报, 1997; (1): 20) [9] Xu B S, Zhu S H. Theories and Technologies on Surface Engineering. Beijing: National Defence Industry Press, 1999:148, 222(徐滨士,朱绍华.表面工程的理论与技术.北京:国防工业出版社, 1999: 148, 222) [1] 刘洪喜; 蒋业华; 周荣; 周荣锋; 金青林; 汤宝寅 . 等离子体浸没离子注入与沉积合成TiN薄膜的滚动接触疲劳寿命和机械性能[J]. 金属学报, 2008, 44(3): 325-330 . [2] 郭岩; 畅庚榕; 马胜利; 徐可为 . PCVD 制备新型Ti-Si-C-N纳米复合超硬薄膜及其微观结构表征[J]. 金属学报, 2005, 41(9): 985-988 . [3] 马大衍; 马胜利; 徐可为; S.Veprek . 残余氧对TiN+Si3N4纳米复合薄膜硬度的影响[J]. 金属学报, 2004, 40(10): 1037-1040 . [4] 马大衍; 王昕; 马胜利; 徐可为 . Ti-Si-N纳米复相薄膜及Si含量对脉冲直流PCVD镀膜质量的影响[J]. 金属学报, 2003, 39(10): 1047-1050 . [5] 傅杰; 柳得橹 . 微合金钢中TiN的析出现律研究[J]. 金属学报, 2000, 36(8): 801-804 . [6] 马德军;徐可为;何家文. 测定金属薄膜屈服强度的纳米压入法研究[J]. 金属学报, 1998, 34(6): 661-666. [7] 阎鹏勋;杨思泽;陈熙琛. 脉冲高能量密度等离子体沉积氮化钛膜的结合强度[J]. 金属学报, 1994, 30(23): 503-507. [8] 赵程;彭红瑞;李世直. 等离子体化学气相沉积Ti-N-C膜的研究[J]. 金属学报, 1993, 29(1): 87-92. [9] 王曦;周建坤;陈酉善;柳襄怀;邹世昌. 离子束增强沉积合成氮化钛薄膜的计算机模拟[J]. 金属学报, 1991, 27(3): 136-141. [10] 杜鹤桂;杜钢. 炼铁高炉内Ti(C,N)生成的研究[J]. 金属学报, 1991, 27(3): 89-94. [11] 金柱京;于力;戴少侠;于志明. 添加元素Al,La改性IP-TiN膜性能研究[J]. 金属学报, 1990, 26(1): 96-101. [12] 朱联锡;邹四维. 高频等离子法制取超细氮化钛反应动力学研究[J]. 金属学报, 1990, 26(1): 135-140. [13] 赵克文;蔡开科. 含Ti不锈钢中氮化钛夹杂的研究[J]. 金属学报, 1989, 25(3): 79-84. Viewed Full text Abstract Cited   Shared      Discussed