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金属学报  1999, Vol. 35 Issue (1): 1-5     
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有序合金中FCC→HCP相变温度内出现的缺陷
陈奇志 颜庆云 褚武扬
北京科技大学材料物理系; 北京 100083
引用本文:

陈奇志; 颜庆云; 褚武扬 . 有序合金中FCC→HCP相变温度内出现的缺陷[J]. 金属学报, 1999, 35(1): 1-5 .

全文: PDF(591 KB)  
摘要: 利用TEM的高温台原位观察了Fe3Ge的相在780℃(在700℃以上L12转变为DO19)出现缺陷的过程. 实验发现首先形核的是外禀层错, 外禀层错比孤立的内禀层比孤立的内禀层错扩展得快, 并且扩展得较宽, 它们有可能长大成为DO19相的核胚.
关键词 Fe3GeFCCHCP外禀层错    
Key words
收稿日期: 1998-04-18     
ZTFLH:  TG111.2  
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