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金属学报  1997, Vol. 33 Issue (6): 643-649    
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CVD法合成SiC晶须的实验研究
陈卫武;邹宗树;王天明
东北大学;沈阳;110006;东北大学;沈阳;110006;东北大学;沈阳;110006
NEW PROCESS FOR SYNTHETIC SiC WHISKERS BY CVD
CHEN Weiwu;ZOU Zongshu; WANG Tianming(Northeastern University; Shenyang110006)
引用本文:

陈卫武;邹宗树;王天明. CVD法合成SiC晶须的实验研究[J]. 金属学报, 1997, 33(6): 643-649.
, , . NEW PROCESS FOR SYNTHETIC SiC WHISKERS BY CVD[J]. Acta Metall Sin, 1997, 33(6): 643-649.

全文: PDF(980 KB)  
摘要: 利用简单的实验设备,特殊的金属丝作触媒,以SiO2和C为原料,利用碳热还原反应生成的SiO和CO,通过CVD(化学气相沉积)的方法快速合成α-SiC晶须用光学显微镜研究了晶须的生长速度,通过TEM研究α-SiC晶须的结构和生长方式讨论了这种方法中α-SiC晶须生长的热力学条件、机理及生长动力学模型
关键词 CVDSiC晶须合成机理热力学条件动力学模型    
Abstract:SiC whiskers of good quality were easily prepared at 1100℃ - 1300℃ byCVD (chemically-vapour-deposited) with carbonthermal reduction of SiO2 and using a special metal thread as catalyst. The rate of growth, crystalline characteristics and growth method of whiskers were studied by means of optical microscopy and transmissin electronmicroscopy. The thermodynamic conditions, growth mechanism and growth kinetics SiCw inthis method were also discussed.
Key wordssynthesis of SiC whisker    CVD method    growth rate    crystalline characteristics    kinetic model.
收稿日期: 1997-06-18     
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