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金属学报  1990, Vol. 26 Issue (2): 102-105    
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GaAs在Bi中的溶解特性及相平衡
冯水富;周继程
中国科学院上海冶金研究所;中国科学院上海冶金研究所;上海(200050)
SOLUBILITY CHARACTERISTICS OF GaAs IN Bi AND THEIR PHASE DIAGRAM
FENG Shuifu;ZHOU Jicheng Shanghai Institute of Metallurgy; Academia Sinica Shanghai Institute of Metallurgy;Academia Sinica;Shanghai 200050
引用本文:

冯水富;周继程. GaAs在Bi中的溶解特性及相平衡[J]. 金属学报, 1990, 26(2): 102-105.
, . SOLUBILITY CHARACTERISTICS OF GaAs IN Bi AND THEIR PHASE DIAGRAM[J]. Acta Metall Sin, 1990, 26(2): 102-105.

全文: PDF(386 KB)  
摘要: 用改进的半导体材料生长中的液相外延设备测定了GaAs在Bi中溶解度。根据测定结果,获得了富Bi侧的Bi-GaAs二元平衡图。同时发现,在所研究的温度范围内相同的溶解时间内的溶解量与饱和溶解量之比与温度的关系也各不相同。这一现象似可认为是某些金属间溶解过程中的普遍特性。
关键词 液相外延溶解度相平衡    
Abstract:A modified liquid phase epitaxy apparatus for semiconductor materialswas used to measure the solubility of GaAs in Bi. The solubility of GaAs in Biand two phase diagrams rich in Bi under H_2 and N_2 atmosphere were obtained. Anew phenomenon, in which the parameters Q value (quantity of GaAs dissolved inBi in fixed time but various temperatures/saturated quantity of GaAs in Bi) weredifferent from each other and there existed a maximum Q value in particular tem-perature, was observed. This phenomenon can be recognized as a common feature ofa simple binary metallic system which has the phase diagram similar to that of Bi-GaAs. The difference observed from the dependence of Q values on temperature inboth H_2 and N_2 atmosphere was discussed.
Key wordsliquid phase epitaxy    solubility    phase diagram
收稿日期: 1990-02-18     
1 Rubenstein M. J Electrochem Soc, 1966; 113: 752
2 Hall R N. J Electrochem Soc, 1963; 110: 385
3 #12
4 冯水富,中国科学院上海冶金研究所硕士学位论文,1988
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