金属学报  1992, Vol. 28 Issue (3): 87-91

论文 本期目录 | 过刊浏览 |

氮气辅助氙离子束增强沉积TiN薄膜及其机械性能

王曦;杨根庆;柳襄怀;郑志宏;黄巍;周祖尧;邹世昌

中国科学院上海冶金研究所离子束开放研究实验室;中国科学院上海冶金研究所离子束开放研究实验室;中国科学院上海冶金研究所离子束开放研究实验室;中国科学院上海冶金研究所离子束开放研究实验室;中国科学院上海冶金研究所离子束开放研究实验室;中国科学院上海冶金研究所离子束开放研究实验室;中国科学院上海冶金研究所离子束开放研究实验室

PREPARATION OF TiN FILMS BY N_2 ASSISTED Xe~+ ION BEAM ENHANCED DEPOSITION AND THEIR MECHANICAL PROPERTIES

WANG Xi;YANG Genqing;LIU Xianghuai;ZHENG Zhihong;HUANG Wei;ZHOU Zuyao;ZOU Shichang Ion Beam Laboratory; Shanghai Institute of Metallurgy; Academia Sinica

王曦;杨根庆;柳襄怀;郑志宏;黄巍;周祖尧;邹世昌. 氮气辅助氙离子束增强沉积TiN薄膜及其机械性能[J]. 金属学报, 1992, 28(3): 87-91.
, , , , , , . PREPARATION OF TiN FILMS BY N_2 ASSISTED Xe~+ ION BEAM ENHANCED DEPOSITION AND THEIR MECHANICAL PROPERTIES[J]. Acta Metall Sin, 1992, 28(3): 87-91.

摘要 参考文献 相关文章 Metrics 全文: PDF(720 KB)   摘要: 本文提出一个合成TiN硬质薄膜的新方法,在氮气氛中,电子束蒸发沉积Ti的同时,用40keV的氙离子束对其进行轰击而合成TiN薄膜,该方法优于PVD和CVD之处在于合成温度低,薄膜与基体结合力强,其临界载荷达4.2kg,Knoop硬度达2200kg/mm~2,具有良好的耐磨损性能,报道了所合成的TiN薄膜在工业上应用的一些结果。 关键词 ： TiN薄膜,  离子束增强沉积     Abstract：A new method for preparation of hard TiN films has been developed by electronbeam evaporation--deposition of Ti and bombardment with tens keV Xe~+ ion beam in a N_2 gasenvironment. The TiN film, prepared by Xe~+ ion beam enhanced deposition, is superior to PVDand CVD ones in respects of improved adhension to substrate and low preparing temperature.It exhibited good wear resistance and high Knoop hardness up to 2200 kg / mm~2. Some indus-trial applications have been reported. Key words： TiN film    ion beam enhanced deposition    property 收稿日期: 1992-03-18      基金资助:国家高技术资助项目 服务 把本文推荐给朋友 加入引用管理器 E-mail Alert RSS 作者相关文章 王曦 杨根庆 柳襄怀 郑志宏 黄巍 周祖尧 邹世昌 44.8K 链接本文: https://www.ams.org.cn/CN/      或      https://www.ams.org.cn/CN/Y1992/V28/I3/87 1 Kant R A, Sartwell B D. Mater Sci Eng, 1987; 90: 357 2 Sato T, Ohata K, Asahi N, Ono Y, Oka Y, Hashimoto I, Arimatsu K. Nucl Instrum Methods Phys Res, 1987; B19/20: 644 3 Ito H, Yoshida Y, Yamaji S, Maeyama Y, Ina T, Minowa Y. Nucl Instrum Methods Phys Res, 1989; B39: 174 4 Wang Xi, Liu Xianghuai, Chen Youshan, Yang Genqing, Zhou Zuyao, Zheng Zhihong, Huang Wei, Zou Shichang. Thin Solid Felms, 1991; 202: 315 5 Takano I, Isobe S. Thin Solid Films, 1989; 171: 263 6 Wang Xi, Liu Xianghuai, Chen Youshan, Yang Genqing, Zhou Zuyao, Zheng Zhihong, Huang Wei, Zou Shichang. Nucl Instrum Methods Phys Res, 1991; B59/60: 2725 [1] 时惠英, 杨超, 蒋百灵, 黄蓓, 王迪. 双脉冲磁控溅射峰值靶电流密度对TiN薄膜结构与力学性能的影响[J]. 金属学报, 2018, 54(6): 927-934. [2] 李铸国; 华学明; 吴毅雄; 三宅正司 . 低能离子束辅照对溅射镀TiN膜生长的影响[J]. 金属学报, 2005, 41(10): 1087-1090 . [3] 徐东;朱宏;汤丽娟;杨云洁;郑志宏;柳襄怀;谷口滋次;柴田俊夫. 离子束增强沉积氮化硅膜及TiAl抗高温氧化性能的改善[J]. 金属学报, 1995, 31(16): 164-172. [4] 刘裕光;姜恩永;程启;孙长庆. 对向靶溅射TiN薄膜的结构和物性[J]. 金属学报, 1995, 31(13): 31-34. [5] 刘长洪;李文治;李恒德. CH_4离子束增强沉积对TiC薄膜显微硬度的影响机制[J]. 金属学报, 1994, 30(19): 318-322. [6] 刘长清;李美栓;金柱京;吴维(山文). 精细TiN陶瓷薄膜的抗拉强度和界面结合强度[J]. 金属学报, 1992, 28(9): 91-94. [7] 王曦;周建坤;陈酉善;柳襄怀;邹世昌. 离子束增强沉积合成氮化钛薄膜的计算机模拟[J]. 金属学报, 1991, 27(3): 136-141. [8] 周建坤;柳襄怀;陈酉善;王曦;郑志宏;黄巍;邹世昌. TiN薄膜的合成及其性能研究[J]. 金属学报, 1990, 26(2): 136-141. Viewed Full text Abstract Cited   Shared      Discussed