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金属学报  2003, Vol. 39 Issue (11): 1212-1214     
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结晶状态对铜内耗频率谱的影响
张进修 龚康
中山大学光电技术与材料国家重点实验室;广州510275
引用本文:

张进修; 龚康 . 结晶状态对铜内耗频率谱的影响[J]. 金属学报, 2003, 39(11): 1212-1214 .

全文: PDF(142 KB)  
摘要: 用内耗频率谱仪测量了多晶铜、纳米晶铜和单晶铜试样的内耗频率谱,在170,320以及490Hz附近观测到3个明显的共振吸收频率峰,3种试样在晶粒结构上存在极大差别,但其共振吸收内耗峰出现在相同频率范围,这说明产生内耗频率峰的机制与晶体缺陷和晶粒尺度无关,而与材料的晶体点阵性质密切相关.
关键词 内耗频率谱多晶铜单晶铜纳米晶铜    
Key words
收稿日期: 2003-07-09     
ZTFLH:  O76  
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