金属学报  2002, Vol. 38 Issue (10): 1087-1090

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磁场退火对CoFeNiNbSiB薄带巨磁阻抗的影响

吴厚政　 刘宜华　 代由勇　 张林　 萧淑琴

山东大学物理与微电子学院;济南250100

吴厚政; 刘宜华; 代由勇; 张林; 萧淑琴 . 磁场退火对CoFeNiNbSiB薄带巨磁阻抗的影响[J]. 金属学报, 2002, 38(10): 1087-1090 .

摘要 参考文献 相关文章 Metrics 全文: PDF(153 KB)   摘要: 本文研究了磁场退火对CoFeNiNbSiB非晶薄带巨磁阻抗(GMI)效应的影响样品在不同条件下进行了退火热处理.结果表明,在300℃下经横向磁场退火处理后获得了最佳的软磁特性,从而得到了最大的GMI效应.在800 kHz的交变电流频率下,得到了236%的最大磁阻抗比.在低场下,材料的磁阻抗磁场灵敏度达到1152%/mT. 关键词 ： 巨磁阻抗效应,  非晶态软磁钴基合金薄带     Key words： 收稿日期: 2001-12-30      ZTFLH:  TG139   服务 把本文推荐给朋友 加入引用管理器 E-mail Alert RSS 作者相关文章 吴厚政 刘宜华 代由勇 张林 萧淑琴 44.8K 链接本文: https://www.ams.org.cn/CN/Y2002/V38/I10/1087 [1] Mohri K, Kohzawa T, Kawashima K, Yoshida H, PaninaL V. IEEE Trans Magn, 1992; 28: 3150 [2] Panina L V, Mohri K, Uchiyama T, Noda M, Bushida K.IEEE Trans Magn, 1995; 31: 1249 [3] Sommer R L, Chien C L. J Appl Phys, 1996; 79: 5139 [4] Chen C, Luan K Z, Liu Y H, Mei L M, Guo H Q, Shen BG, Zhao J G. Phys Rev B, 1996; 54: 6092 [5] Dai Y Y, Xiao S Q, Liu Y H, Zhang L, Wu H Z. ChinPhys Lett, 2001; 18: 272 [6] Liu Y H, Chen C, Zhang L, Yan S S, Mei L M. J Phys D:Appl Phys, 1996; 29: 2943 [7] Xiao S Q, Liu Y H, Yan S S, Dai Y Y, Zhang L, Mei LM. Phys Rev B, 2000; 61: 5734 [8] Mohri K, Panina L V, Uchiyama T, Bushida K, Noda M.IEEE Trans Magn, 1995; 31: 1266 [9] Inomata K, Hasegawa M, Shimanuki S. Jpn J Appl Phys,1979; 18: 937 [10] Grossinger R, Turtelli R S. IEEE Trans Magn, 1994; 30:455 [1] 陈卫平 冯尚申 邵先亦 萧淑琴 刘宜华. 磁场沉积态FeCuCrVSiB薄膜的软磁特性和巨磁阻抗效应[J]. 金属学报, 2009, 45(5): 615-619. [2] 袁慧敏; 姜山; 王文静; 颜世申; 萧淑琴 . 制备态FeZrBNi/Ag/FeZrBNi三层膜的巨磁阻抗效应[J]. 金属学报, 2006, 42(9): 971-973 . [3] 吴厚政; 刘宜华 . Co-Fe-Ni-Nb-Si-B非晶软磁合金薄带巨磁阻抗效应[J]. 金属学报, 2000, 36(9): 997-1000 . [4] 刘德镇; 萧淑琴 . FeNiCrSiB／Cu／FeNiCrSiB膜的磁畴结构和巨磁阻抗效应[J]. 金属学报, 2000, 36(5): 535-538 . Viewed Full text Abstract Cited   Shared      Discussed