金属学报  1990, Vol. 26 Issue (2): 74-78

论文 本期目录 | 过刊浏览 |

利用电子束辐照方法测定空位迁移能

万发荣;肖纪美;袁逸

北京科技大学材料物理系;讲师;北京(100083)中国高等科学技术中心(世界实验室)凝聚态和辐射物理分中心;北京科技大学;北京科技大学

MEASUREMENT OF VACANCY MIGRATION ENERGY BY ELECTRON IRRADIATION

WAN Farong;XIAO Jimei;YUAN Yi University of Science and Technology Beijing lecturer;Department of Material Physics;University of Science and Technology Beijing; Beijing 100083

万发荣;肖纪美;袁逸. 利用电子束辐照方法测定空位迁移能[J]. 金属学报, 1990, 26(2): 74-78.
, , . MEASUREMENT OF VACANCY MIGRATION ENERGY BY ELECTRON IRRADIATION[J]. Acta Metall Sin, 1990, 26(2): 74-78.

摘要 参考文献 相关文章 Metrics 全文: PDF(330 KB)   摘要: 本文研究了利用超高压电子显微镜测定空位移动能的方法。在引入试样表面与点缺陷相互作用的前提下,提出了新的计算公式。根据该公式,通过测定电子束辐照下位错环的生长速度,可以计算空位迁移能。 关键词 ： 电子辐照损伤,  空位迁移能,  间隙型位错环     Abstract：A method together with a new formula were developed for measur-ing the vacancy migration energy by HVEM considering the effect of surface sinkof specimen on point defects. The vacancy migration energy may be calculatedthrough the loop growth rate under electron irradiation at various temperatures. Key words： electron irradiation damage    vacancy migration energy    interstitial loop 收稿日期: 1990-02-18      基金资助:国家自然科学基金 服务 把本文推荐给朋友 加入引用管理器 E-mail Alert RSS 作者相关文章 万发荣 肖纪美 袁逸 44.8K 链接本文: https://www.ams.org.cn/CN/      或      https://www.ams.org.cn/CN/Y1990/V26/I2/74 1 Kiritani M, Takata H, Moriyama K, Fujita F E. Philos Mag, 1979; 40A: 779--802 2 Kiritani M. In: Takamura J, Doyama M, Kiritani M eds., Point Defects and Defect Interactions in Metals, Tokyo: Tokyo University, 1982: 59--66 3 Phillipp F, Saile B, Urban K. In: Takamura J, Doyama M, Kiritani M eds., Point Defects and Defect Interactions in Metals, Tokyo: Tokyo, University 1982: 261--264 4 Takahashi H, Urban K. In: Takamura J, Doyama M, Kiritani M eds., Point Defects and Defect Interactions in Metals, Tokyo: Tokyo University, 1982: 346--348 [1] 乔永红; 王绍青 . Si晶体中空位运动的分子动力学研究[J]. 金属学报, 2005, 41(3): 231-234 . Viewed Full text Abstract Cited   Shared      Discussed