金属学报  1997, Vol. 33 Issue (9): 991-994

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Si纳米纤维的等离子体制备工艺

林成福;汪伟;赵志成;闻立时

中国科学院金属研究所;沈阳;110015;中国科学院金属研究所;沈阳;110015;中国科学院金属研究所;沈阳;110015;中国科学院金属研究所;沈阳;110015

PROCESSING PREPARED Si NANOFIBER IN VACUUM ARC PLASMA

LIN Chengfu;WANG Wei;ZHAO Zhicheng;WEN Lishi(Institute of Metal Research; Chinese Academy of Sciences; Shengyang 110015)

林成福;汪伟;赵志成;闻立时. Si纳米纤维的等离子体制备工艺[J]. 金属学报, 1997, 33(9): 991-994.
, , , . PROCESSING PREPARED Si NANOFIBER IN VACUUM ARC PLASMA[J]. Acta Metall Sin, 1997, 33(9): 991-994.

摘要 参考文献 相关文章 Metrics 全文: PDF(1510 KB)   摘要: 本文利用电弧等离子体蒸发制备了纳米Si纤维通过沉积温度场的调节，确定了纤维的最佳沉积温度约600℃同时表征了纤维的生长过程，在一定的温度下，Si团聚体颗粒间的“颈连接”及颗粒表面的非晶层是导致团聚体自扩散和表面扩散一维生长的直接条件 关键词 ： 电弧等离子体蒸发,  硅纤维,  沉积温度     Abstract：Si nanofiber was prepared by using arc plasma evaporation method. The experimental results revealed that one-dimension growth of the Si particle clusters was responsible for the "neck-connection" between the particle and its surface amorphous layer.Self-diffusion between the particles and surface diffusion on layer of the particle were carried on in various deposition temperature zones. Key words： arc plasma evaporation    Si nanofiber    deposited temperatrue 收稿日期: 1997-09-18      基金资助:国家自然科学基金!10015940201 服务 把本文推荐给朋友 加入引用管理器 E-mail Alert RSS 作者相关文章 林成福 汪伟 赵志成 闻立时 44.8K 链接本文: https://www.ams.org.cn/CN/      或      https://www.ams.org.cn/CN/Y1997/V33/I9/991 1Rodrguez N M.J Mater Res, 1993;12:3233 2Pickles C A Toguri J M J Mater Res,1993;8:1996 3林成福,钱声伟,魏文择,闻立时.硅酸盐学报,1993;20:237 [1] 白晓; 林国强; 董闯; 闻立时 . 脉冲偏压电弧离子镀沉积温度的计算[J]. 金属学报, 2004, 40(10): 1069-1073 . Viewed Full text Abstract Cited   Shared      Discussed