溅射沉积Mg2(Sn, Si)薄膜组织结构与导电性能 |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 宋贵宏,李贵鹏,刘倩男,杜昊,胡方 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Microstructure and Electric Conductance of Mg2(Sn, Si) Thin Films by Sputtering |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Guihong SONG,Guipeng LI,Qiannan LIU,Hao DU,Fang HU | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 表1 不同Mg靶溅射时间沉积薄膜的元素含量 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Table 1 The element contents of deposited films under different sputtering time of Mg target (t) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||