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ISSN 0412-1961
CN 21-1139/TG
创刊于 1956 年 (月刊)
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1995年, 第31卷, 第15期 刊出日期:1995-12-21
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论文
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DyF_3-BaF_2-LiF三元系熔体结构的计算机模拟研究
徐驰;苏航;陈念贻;李洁;唐定骧
金属学报. 1995, 31 (
15
): 97-102.
摘要
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(389KB)
MonteCarlo法计算机模拟研究DyF_3-BaF_2-LiF三元系熔体,得到了离子间偏径向分布函数、局部结构和能量分布等信息.研究表明:F~-聚集在Dy~(3+)周围,主要组成以DyF_6~(3-)形式的八面体络离子;Li~+以“游离”状态存在,其平均位能较高,在电解中起到迁移电流的作用:氟离子可分为“端氟”、“游氟”和“桥氟”三类,不同行为的氟其位能也不同、通过“桥氟”组成诸如Fm-Dy-F-Dy-Fn或Fm-Dy Dy-Fn较复杂的离子集团;与DyF_3-LiF二元系熔体模拟结果相比较,BaF_2的加入使DyF_6~(3-)形式的八面体络离子较为紧密及有序.
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超高纯铁素体不锈钢在3.5%NaCl中的腐蚀疲劳的裂纹萌生
王俭秋;李劲;王政富;朱自勇;柯伟;臧启山;王中光
金属学报. 1995, 31 (
15
): 103-108.
摘要
PDF
(514KB)
本文利用三电极技术研究了超高纯铁素体不锈钢Fe-26Cr-1Mo在3.5%NaCl水溶液转化体系中,低周腐蚀疲劳的裂纹萌生行为.在静态点蚀电位以下,形变诱发点蚀出现,但是点蚀在本文的研究体系不是导致裂纹萌生的原因.在低应变速率下,裂纹沿晶内的驻留滑移带萌生,且沿滑移带的电化学溶解加快了裂纹萌生.在高应变速率下,裂纹在晶界萌生,且沿晶界有点蚀实验结果表明,电化学溶解加速了裂纹萌生,点蚀在此钝化体系中不是裂纹萌生的机制.应变速率影响裂纹萌生方式.
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晶粒尺寸对含Zr的Ni_3Al合金氧化行为的影响
叶长江;李铁藩;周龙江
金属学报. 1995, 31 (
15
): 109-115.
摘要
PDF
(585KB)
研究了Ni-11,82Al-1.03Zr-0.1B(wt-%)合金晶粒尺寸为30和180μm两种组织结构试样,在900和1100℃静态空气中的等温氧化行为.发现,当氧化温度为900℃时,氧化速率随晶粒尺寸减小而减小,而在1100℃,二者氧化速率几乎没有区别.利用EPMA,XRD分析了氧化产物,证明两种试样的氧化膜相成分与结构,均由NiO外层和Al_2O_3,NiAl_2O_4内层组成.但氧化膜/合金界面形貌显著不同.900℃氧化膜与合金界面呈平滑的波浪型,而1100℃界面出现树根状突出氧化物伸入到合金表层内部.对上述实验结果作了理论分析,认为前一结果为合金晶界快速短路扩散传质所致、而后一现象与合金晶粒尺寸关系较小,起决定作用的为活性元素Zr的“反应元素效应(REE)”.
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纯铁表面Ti~+-O~+二重离子注入后着色的研究
安础;黑祖昆;岡部芳雄;岩木正哉
金属学报. 1995, 31 (
15
): 116-122.
摘要
PDF
(465KB)
用电化学的方法对经Ti~+-O~+二重离子注入后的钝铁表面进行处理,可呈现出深蓝、海蓝、褐、紫、金黄、淡黄等颜色用X射线光电子能谱(XPS)对着色表面进行分析,发现表层有TiO_2富集,证明存在钛的氧化物是着色的必要条件.同时着色后的表面存在Ti的浓化层,着色的深浅程度与钛的浓度有关
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纳米晶体Se的微观结构特征
张皓月;卢柯;胡壮麒
金属学报. 1995, 31 (
15
): 123-128.
摘要
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(434KB)
本文采用X射线衍射和透射电子显微镜研究了纳米晶体Se的微观结构特征.通过测定不同晶粒尺寸的纳米晶体Se的点阵参数a和c,发现纳米晶体Se中存在晶格畸变,畸变量与晶粒尺寸有关.得到了纳米晶体Se中晶胞体积变化与晶粒尺寸的关系.并由点阵参数计算出纳米晶体Se的键长.用非晶态Se中的无规链折叠的晶化机制解释了纳米晶体Se中晶格畸变现象.
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Nd_xB_(20-x)Fe_(78)Cu_(0.3)Co_(1.7)系非晶合金初期晶化对磁性的影响
何正明;卢国荣;苏昉;文峰;沈保根
金属学报. 1995, 31 (
15
): 129-134.
摘要
PDF
(442KB)
本文测量了经不同温度和时间真空退火的非晶合金带Nd_xB_(20-x)Fe_(78)Cu_(0.3)Co_(1.7)(x=0.1,2,3,4,5),在1kHz交流电下的磁化曲线,发现含少量Nd的非晶合金带在晶化温度附近真空退火后、起始导磁率减小,饱和场增大,使材料从软磁性向硬磁性转化;随着Nd含量的增加,这种转化重明显.X射线衍射透射电镜观察及电子衍射分析表明,材料在初期晶化时能析出颗粒大小为5-100nm的针状纳米晶,且随着Nd含量增加,针状纳米晶的数量增多,这一现象与材料磁性测量的结果吻合.
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RB-SiC/MoSi_2复合材料的界面特征
胡冬昉;黄汉铨;黄建宇;夏非
金属学报. 1995, 31 (
15
): 135-138.
摘要
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(309KB)
采用(Si+Mo)合金浸渗反应烧结SiC,以难熔MoSi_2作为第二相取代RB-SiC中的游离Si,从而获得RB-SiC/MoSi_2复合材料.实验结果表明,MoSi_2均匀、连续地分布于SiC颗粒界面处,形成连续网络.界面是由t-MoSi_2和β-SiC两相交错重叠所构成.界面层处未观察到反应层和非晶态物质,过渡层厚约5nm.
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单源低能离子束辅助沉积类金刚石薄膜结构及性能研究
朱宏;柳襄怀;任琮欣;陈国梁;邹世昌
金属学报. 1995, 31 (
15
): 139-144.
摘要
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(428KB)
用单源低能氩离子束辅助沉积(IBAD)法制备了非晶碳薄膜.氩离子能量为400-1500eV.膜面光滑致密,与衬底的结合力较高。用Raman,FTIR,HRTEM,TED,SEM,ERD及RBS研究了薄膜的形貌、结构和组分,测量了膜的电阻率、显微硬度及摩擦系数.薄膜为无定形的类金刚石(DLC).其中含氢约为205at.-%,碳原子与氢原子几乎没有形成C-H键.随着离子束能量及束流的增加,显微硬度、摩擦系数增加,电阻率减小.硬度增加是由于薄膜致密度的增加,而电阻率降低是由于膜中金刚石键(sp~3键)含量减少的缘故.
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