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金属学报  1992, Vol. 28 Issue (9): 63-66    
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Si在Al—0.35wt—%Si合金表面的非平衡偏聚
陈宁;余宗森
北京科技大学;北京科技大学材料物理系;教授;北京(100083)
NON-EQUILIBRIUM SEGREGATION OF Si ON Al-0.35wt-%Si ALLOY SURFACE
CHEN Ning; YU Zongsen (University of Science and Technology Beijing)
引用本文:

陈宁;余宗森. Si在Al—0.35wt—%Si合金表面的非平衡偏聚[J]. 金属学报, 1992, 28(9): 63-66.
, . NON-EQUILIBRIUM SEGREGATION OF Si ON Al-0.35wt-%Si ALLOY SURFACE[J]. Acta Metall Sin, 1992, 28(9): 63-66.

全文: PDF(498 KB)  
摘要: 金相、X射线电子能谱和显微硬度等实验表明,Si在Al-0.35wt-%Si合金氧化膜下的过饱和空位造成的空位坑中有Si的偏聚.这种偏聚只能用空位-Si原子复合体扩散导致的非平衡偏聚理论来解释。
关键词 非平衡偏聚空位铝硅合金表面    
Abstract:Si segregation was observed in the vacancy condensation pits, formed by supersaturated vacancies below the oxidation layer of Al—0.35 wt-%Si alloy, by optical microscopy, X-ray photoeletron spectroscopy and microhardness test. This phenomenon could only be explained by diffusion of vacancy-Si complex inducing non-equilibrium segregation.
Key wordsnon-equilibrium segregation    vacancy    Al-Si alloy    surface
收稿日期: 1992-09-18     
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