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Ti3SiC2在900℃与1000℃下的热腐蚀行为 |
刘光明 李美栓 周延春 张亚明 |
中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家(联合)实验室;沈阳110016 |
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引用本文:
刘光明; 李美栓; 周延春; 张亚明 . Ti3SiC2在900℃与1000℃下的热腐蚀行为[J]. 金属学报, 2002, 38(4): 417-420 .
[1] Elraghy T, Zavaliangos A, Barsoum M W, Kalidindi S. JAm Ceratn Soc, 1997; 80: 513 [2] Racault C, Langlais F, Naslain R. J Mater Sci, 1994; 29:3384 [3] Gao N F, Miyamoto Y. J Mater Sci, 1999; 34: 4385 [4] Barsoum M W, Elraghy T. J Am Ceram Soc, 1996; 79:1953 [5] Broum M W, Elraghy T. J Electrochem Soc, 1997; 144:2508 [6] Feng A, Orling T, Munir Z A. J Mater Res, 1999; 14: 925 [7] Turkdogan E T. Physical Chemistry of High TemperatureTechnology. New York: Academic Press, 1980: 5 [8] Zhang Y S. i Chin Soc Corros Proct, 1992; 12: 1(张允书 中国腐蚀与防护学报、1992;12:1)^ |
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